CY7C1011DV33-10BVXI

CY7C1011DV33-10BVXI图片1
CY7C1011DV33-10BVXI图片2
CY7C1011DV33-10BVXI图片3
CY7C1011DV33-10BVXI图片4
CY7C1011DV33-10BVXI图片5
CY7C1011DV33-10BVXI图片6
CY7C1011DV33-10BVXI图片7
CY7C1011DV33-10BVXI图片8
CY7C1011DV33-10BVXI图片9
CY7C1011DV33-10BVXI概述

CY7C1011DV33 系列 2 Mb 128 K x 16 3.3 V 10 ns 静态 RAM - VFBGA-48

SRAM - Asynchronous Memory IC 2Mb 128K x 16 Parallel 10ns 48-VFBGA 6x8


立创商城:
CY7C1011DV33-10BVXI


得捷:
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48VFBGA


贸泽:
SRAM 2Mb 10ns3.3V 128Kx16 Fast Async SRAM


e络盟:
SRAM, 2 Mbit, 128K x 16位, 3V 至 3.6V, VFBGA, 48 引脚, 10 ns


艾睿:
SRAM Chip Async Single 3.3V 2M-Bit 128K x 16 10ns 48-Pin VFBGA Tray


安富利:
SRAM Chip Async Single 3.3V 2M-Bit 128K x 16 10ns 48-Pin VFBGA


Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 3.3V 2M-Bit 128K x 16 10ns 48-Pin VFBGA Tray


Verical:
SRAM Chip Async Single 3.3V 2M-bit 128K x 16 10ns 48-Pin VFBGA Tray


DeviceMart:
IC SRAM 2MBIT 10NS 48VFBGA


Win Source:
IC SRAM 2MBIT 10NS 48VFBGA


CY7C1011DV33-10BVXI中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

供电电流 90 mA

针脚数 48

时钟频率 10.0 GHz

位数 16

存取时间 10 ns

内存容量 2000000 B

存取时间Max 10 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 VFBGA-48

外形尺寸

封装 VFBGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 3A991.b.2.b

数据手册

CY7C1011DV33-10BVXI引脚图与封装图
CY7C1011DV33-10BVXI引脚图
CY7C1011DV33-10BVXI封装图
CY7C1011DV33-10BVXI封装焊盘图
在线购买CY7C1011DV33-10BVXI
型号: CY7C1011DV33-10BVXI
描述:CY7C1011DV33 系列 2 Mb 128 K x 16 3.3 V 10 ns 静态 RAM - VFBGA-48
替代型号CY7C1011DV33-10BVXI
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

CY7C1011DV33-10BVXI

Cypress Semiconductor 赛普拉斯

当前型号

当前型号

CY7C1011DV33-10BVI

赛普拉斯

完全替代

CY7C1011DV33-10BVXI和CY7C1011DV33-10BVI的区别

CY7C1011DV33-10BVXIT

赛普拉斯

类似代替

CY7C1011DV33-10BVXI和CY7C1011DV33-10BVXIT的区别

IS61LV12816L-10BLI

Integrated Silicon SolutionISSI

功能相似

CY7C1011DV33-10BVXI和IS61LV12816L-10BLI的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台