CYPRESS SEMICONDUCTOR CY62146EV30LL-45ZSXI 芯片, SRAM, 4Mb, 256KX16, 3V, TSOPII-44
异步微功耗 MoBL SRAM 存储器,
MoBL 低功率 SRAM 存储器设备具有高效率,且可提供行业领先的待机功耗(最大)规格。
### SRAM(静态随机存取存储器)
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CY62146EV30LL-45ZSXI
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IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
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Cypress Semiconductor CY62146EV30LL-45ZSXI, 4Mbit SRAM 内存, 256K x 16 位, 1MHz, 2.2 → 3.6 V, 44针 TSOP封装
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静态随机存取存储器 4Mb 3V 45ns 256K x 16 LP 静态随机存取存储器
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SRAM Chip Async Single 2.5V/3V/3.3V 4M-bit 256K x 16 45ns 44-Pin TSOP-II Tray
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DeviceMart:
IC SRAM 4MBIT 45NS 44TSOP
Win Source:
IC SRAM 4MBIT 45NS 44TSOP
频率 1 MHz
电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max
供电电流 20 mA
针脚数 44
时钟频率 1 MHz
位数 16
存取时间 45 ns
内存容量 500000 B
存取时间Max 45 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.2V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 2.2 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 44
封装 TSOP-44
长度 18.51 mm
宽度 10.26 mm
高度 1.04 mm
封装 TSOP-44
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
制造应用 工业, Computers & Computer Peripherals, Industrial, Portable Devices, 计算机和计算机周边, 便携式器材
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 3A991.b.2.a
香港进出口证 NLR
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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