CY62148EV30 系列 4 Mb 512 K x 8 2.2 - 3.6 V 45 ns 静态RAM - VFBGA-36
异步静态 RAM 存储器,
### SRAM(静态随机存取存储器)
立创商城:
CY62148EV30LL-45BVXI
欧时:
Cypress Semiconductor CY62148EV30LL-45BVXI, 4Mbit SRAM 内存, 512K x 8, 1MHz, 2.2 → 3.6 V, 36针 FBGA封装
得捷:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36VFBGA
e络盟:
SRAM, 4 Mbit, 512K x 8位, 2.2V 至 3.6V, VFBGA, 36 引脚, 45 ns
艾睿:
SRAM Chip Async Single 2.5V/3V/3.3V 4M-bit 512K x 8 45ns 36-Pin VFBGA Tray
Jameco:
L ULTRA LOW POWER, HIGH SPEED
安富利:
The CY62148E is a high performance CMOS static RAM organized as 512 K words by 8-bits. This device features advanced circuit design to provide ultra low standby current. This is ideal for providing More Battery Life™ MoBL® in portable applications. The device also has an automatic power-down feature that significantly reduces power consumption when addresses are not toggling.
Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-Bit 512K x 8 45ns 36-Pin VFBGA Tray
Verical:
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 45ns 36-Pin VFBGA Tray
Newark:
# CYPRESS SEMICONDUCTOR CY62148EV30LL-45BVXI STATIC RAM, 4MBIT, 45NS, VFBGA-36 New
DeviceMart:
IC SRAM 4MBIT 45NS 36VFBGA
Win Source:
IC SRAM 4MBIT 45NS 36VFBGA
频率 1 MHz
电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max
针脚数 36
时钟频率 1 MHz
位数 8
存取时间 45 ns
内存容量 500000 B
存取时间Max 45 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.2V ~ 3.6V
安装方式 Surface Mount
引脚数 36
封装 VFBGA-36
长度 8 mm
宽度 6 mm
高度 0.21 mm
封装 VFBGA-36
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 3A991.b.2.a
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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CY62148EV30LL-45BVXI Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | 当前型号 | 当前型号 |
CY62148EV30LL-45BVI 赛普拉斯 | 完全替代 | CY62148EV30LL-45BVXI和CY62148EV30LL-45BVI的区别 |
CY62148EV30LL-45BVXIT 赛普拉斯 | 类似代替 | CY62148EV30LL-45BVXI和CY62148EV30LL-45BVXIT的区别 |
IS62WV5128BLL-55BLI Integrated Silicon SolutionISSI | 功能相似 | CY62148EV30LL-45BVXI和IS62WV5128BLL-55BLI的区别 |