CY62147EV30LL-45B2XI

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CY62147EV30LL-45B2XI概述

4M 256kx16 45ns 双芯片使能

异步静态 RAM 存储器,

### SRAM(静态随机存取存储器)


立创商城:
CY62147EV30LL-45B2XI


欧时:
Cypress Semiconductor CY62147EV30LL-45B2XI, 4Mbit SRAM 内存, 256K x 16, 1MHz, 2.2 → 3.6 V, 48针 FBGA封装


艾睿:
SRAM Chip Async Single 3V 4M-Bit 256K x 16 45ns 48-Pin VFBGA Tray


安富利:
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DeviceMart:
IC SRAM 4MBIT 45NS 48VFBGA


CY62147EV30LL-45B2XI中文资料参数规格
技术参数

时钟频率 1 MHz

位数 16

存取时间 45 ns

存取时间Max 45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.2V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2.2 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 VFBGA-48

外形尺寸

长度 8 mm

宽度 6 mm

高度 0.21 mm

封装 VFBGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 3A991.b.2.a

数据手册

CY62147EV30LL-45B2XI引脚图与封装图
CY62147EV30LL-45B2XI引脚图
CY62147EV30LL-45B2XI封装图
CY62147EV30LL-45B2XI封装焊盘图
在线购买CY62147EV30LL-45B2XI
型号: CY62147EV30LL-45B2XI
描述:4M 256kx16 45ns 双芯片使能
替代型号CY62147EV30LL-45B2XI
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Cypress Semiconductor 赛普拉斯

当前型号

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CY62147EV30LL-45B2XA

赛普拉斯

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CY62147EV30LL-45B2XI和CY62147EV30LL-45B2XA的区别

CY62147EV30LL-45B2XIT

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