4M 256kx16 45ns 双芯片使能
异步静态 RAM 存储器,
### SRAM(静态随机存取存储器)
立创商城:
CY62147EV30LL-45B2XI
欧时:
Cypress Semiconductor CY62147EV30LL-45B2XI, 4Mbit SRAM 内存, 256K x 16, 1MHz, 2.2 → 3.6 V, 48针 FBGA封装
艾睿:
SRAM Chip Async Single 3V 4M-Bit 256K x 16 45ns 48-Pin VFBGA Tray
安富利:
SRAM Chip Async Single 3V 4M-Bit 256K x 16 45ns 48-Pin VFBGA Tray
Chip1Stop:
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罗切斯特:
SRAM Chip Async Single 3V 4M-bit 256K x 16 45ns 48-Pin VFBGA Tray
DeviceMart:
IC SRAM 4MBIT 45NS 48VFBGA
时钟频率 1 MHz
位数 16
存取时间 45 ns
存取时间Max 45 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.2V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 2.2 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 48
封装 VFBGA-48
长度 8 mm
宽度 6 mm
高度 0.21 mm
封装 VFBGA-48
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 3A991.b.2.a
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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