CY62147EV30LL-45BVI

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CY62147EV30LL-45BVI概述

4兆位( 256K ×16 )静态RAM宽电压范围: 2.20 V至3.60 V 4-Mbit 256K x 16 Static RAM Wide voltage range: 2.20 V to 3.60 V

SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb 256K x 16 Parallel 45ns 48-VFBGA 6x8


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CY62147EV30LL-45BVI


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CY62147EV30LL-45BVI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 20 mA

位数 16

存取时间 45 ns

存取时间Max 45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.2V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 VFBGA-48

外形尺寸

封装 VFBGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 3A991.b.2.a

数据手册

CY62147EV30LL-45BVI引脚图与封装图
CY62147EV30LL-45BVI引脚图
CY62147EV30LL-45BVI封装图
CY62147EV30LL-45BVI封装焊盘图
在线购买CY62147EV30LL-45BVI
型号: CY62147EV30LL-45BVI
描述:4兆位( 256K ×16 )静态RAM宽电压范围: 2.20 V至3.60 V 4-Mbit 256K x 16 Static RAM Wide voltage range: 2.20 V to 3.60 V
替代型号CY62147EV30LL-45BVI
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Cypress Semiconductor 赛普拉斯

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