CY62157EV30LL-45BVI

CY62157EV30LL-45BVI图片1
CY62157EV30LL-45BVI图片2
CY62157EV30LL-45BVI图片3
CY62157EV30LL-45BVI图片4
CY62157EV30LL-45BVI图片5
CY62157EV30LL-45BVI图片6
CY62157EV30LL-45BVI图片7
CY62157EV30LL-45BVI图片8
CY62157EV30LL-45BVI概述

CY62157EV30 系列 8 Mb 512 K x 16 2.2 - 3.6 V 45 ns 静态 RAM - VFBGA-48

SRAM - 异步 存储器 IC 8Mb(512K x 16) 并联 45 ns 48-VFBGA(6x8)


立创商城:
CY62157EV30LL-45BVI


得捷:
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA


艾睿:
SRAM Chip Async Single 3V 8M-bit 512K x 16 45ns 48-Pin VFBGA Tray


安富利:
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-Bit 512K x 16 45ns 48-Pin VFBGA


Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 3V 8M-Bit 512K x 16 45ns 48-Pin VFBGA Tray


Verical:
SRAM Chip Async Single 3V 8M-bit 512K x 16 45ns 48-Pin VFBGA Tray


DeviceMart:
IC SRAM 8MBIT 45NS 48VFBGA


Win Source:
IC SRAM 8MBIT 45NS 48VFBGA


CY62157EV30LL-45BVI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 25 mA

位数 16

存取时间 45 ns

存取时间Max 45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.2V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2.2 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 VFBGA-48

外形尺寸

封装 VFBGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 3A991.b.2.a

数据手册

CY62157EV30LL-45BVI引脚图与封装图
CY62157EV30LL-45BVI引脚图
CY62157EV30LL-45BVI封装图
CY62157EV30LL-45BVI封装焊盘图
在线购买CY62157EV30LL-45BVI
型号: CY62157EV30LL-45BVI
描述:CY62157EV30 系列 8 Mb 512 K x 16 2.2 - 3.6 V 45 ns 静态 RAM - VFBGA-48
替代型号CY62157EV30LL-45BVI
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

CY62157EV30LL-45BVI

Cypress Semiconductor 赛普拉斯

当前型号

当前型号

CY62157EV30LL-45BVIT

赛普拉斯

完全替代

CY62157EV30LL-45BVI和CY62157EV30LL-45BVIT的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台