SRAM(静态随机存取存储器)
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电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max
供电电流 100 mA
时钟频率 1 MHz
位数 16
存取时间 10 ns
存取时间Max 10 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 3 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 48
封装 FBGA-48
长度 8.5 mm
宽度 7 mm
高度 0.21 mm
封装 FBGA-48
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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CY7C1041CV33-10BAXA Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | 当前型号 | 当前型号 |
CY7C1041CV33-10BAXIT 赛普拉斯 | 完全替代 | CY7C1041CV33-10BAXA和CY7C1041CV33-10BAXIT的区别 |
CY7C1041CV33-12BAXE 赛普拉斯 | 类似代替 | CY7C1041CV33-10BAXA和CY7C1041CV33-12BAXE的区别 |
IS61LV25616AL-10BLI Integrated Silicon SolutionISSI | 功能相似 | CY7C1041CV33-10BAXA和IS61LV25616AL-10BLI的区别 |