CY7C1418BV18-250BZXC参数规格_中文资料_数据手册PDF

CY7C1418BV18-250BZXC概述

36兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 36Mb 2M x 18 Parallel 250MHz 165-FBGA 15x17

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CY7C1418BV18-250BZXC

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SRAM 2Mx18 DDR II Burst 2 SRAM

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SRAM Chip Sync Single 1.8V 36M-bit 2M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA

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SRAM Chip Sync Single 1.8V 36M-bit 2M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA

CY7C1418BV18-250BZXC中文资料参数规格

技术参数

供电电流 760 mA

时钟频率 250 MHz

位数 18

存取时间 0.45 ns

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买CY7C1418BV18-250BZXC

型号： CY7C1418BV18-250BZXC

描述：36兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture

替代型号CY7C1418BV18-250BZXC

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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