CY7C1081DV33-12BAXI参数规格_中文资料_数据手册PDF

CY7C1081DV33-12BAXI概述

64兆位（ 4米×16 ）静态RAM 2.0 -V数据保留 64-Mbit 4 M x 16 Static RAM 2.0-V data retention

SRAM - 异步存储器 IC 64Mb（4M x 16）并联 12 ns 48-FBGA（8x9.5）

贸泽:
静态随机存取存储器 64MB 4Mx16 3.3v 12ns 静态随机存取存储器

艾睿:
SRAM Chip Async Single 3.3V 64M-Bit 4M x 16 12ns 48-Pin FBGA

CY7C1081DV33-12BAXI中文资料参数规格

技术参数

位数 16

存取时间 12 ns

存取时间Max 12 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 LFBGA-48

外形尺寸

高度 1.14 mm

封装 LFBGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CY7C1081DV33-12BAXI

型号： CY7C1081DV33-12BAXI

描述：64兆位（ 4米×16 ）静态RAM 2.0 -V数据保留 64-Mbit 4 M x 16 Static RAM 2.0-V data retention

替代型号CY7C1081DV33-12BAXI

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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