CY15B104Q-LHXI

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CY15B104Q-LHXI概述

铁电存储器FRAM, 4 Mbit512K x 8SPI, 40 MHz, 2 V至3.6 V电源, TDFN-8

FRAM Ferroelectric RAM Memory IC 4Mb 512K x 8 SPI 40MHz 8-TDFN 5x6


立创商城:
CY15B104Q-LHXI


得捷:
IC FRAM 4MBIT SPI 40MHZ 8TDFN


贸泽:
F-RAM F-RAM Memory Serial


e络盟:
铁电存储器FRAM, 4 Mbit512K x 8SPI, 40 MHz, 2 V至3.6 V电源, TDFN-8


艾睿:
FRAM 4Mbit Serial-SPI Interface 3.3V 8-Pin DFN EP Tube


TME:
Memory; FRAM; SPI; 512kx8bit; 4Mbit; 2÷3.6VDC; 40MHz; TDFN8


Verical:
FRAM 4Mbit Serial-SPI Interface 3.3V 8-Pin DFN EP Tube


CY15B104Q-LHXI中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

时钟频率 40 MHz

存取时间Max 16 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TDFN-8

外形尺寸

封装 TDFN-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

CY15B104Q-LHXI引脚图与封装图
CY15B104Q-LHXI引脚图
CY15B104Q-LHXI封装图
CY15B104Q-LHXI封装焊盘图
在线购买CY15B104Q-LHXI
型号: CY15B104Q-LHXI
描述:铁电存储器FRAM, 4 Mbit512K x 8SPI, 40 MHz, 2 V至3.6 V电源, TDFN-8

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