CY7C1313KV18-250BZXI参数规格_中文资料_数据手册PDF

CY7C1313KV18-250BZXI概述

18兆位QDRÂ® II SRAM四字突发架构 18-Mbit QDRÂ® II SRAM Four-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 18Mb 1M x 18 Parallel 250MHz 165-FBGA 13x15

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CY7C1313KV18-250BZXI

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IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

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SRAM 18Mb 250Mhz 1.8V 1M x 18 QDR II SRAM

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SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-bit 1M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray

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CY7C1313KV18-250BZXI中文资料参数规格

技术参数

供电电流 440 mA

时钟频率 250 MHz

位数 18

存取时间 0.45 ns

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 3A991

数据手册

CY7C1313KV18-250BZXI引脚图与封装图

在线购买CY7C1313KV18-250BZXI

型号： CY7C1313KV18-250BZXI

描述：18兆位QDRÂ® II SRAM四字突发架构 18-Mbit QDRÂ® II SRAM Four-Word Burst Architecture

替代型号CY7C1313KV18-250BZXI

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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