CY7C1911KV18-250BZXC

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CY7C1911KV18-250BZXC概述

18兆位QDR® II SRAM四字突发架构 18-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 18Mb 2M x 9 Parallel 250MHz 165-FBGA 13x15


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CY7C1911KV18-250BZXC


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SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 2M x 9-Bit 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


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CY7C1911KV18-250BZXC中文资料参数规格
技术参数

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

CY7C1911KV18-250BZXC引脚图与封装图
CY7C1911KV18-250BZXC引脚图
CY7C1911KV18-250BZXC封装图
CY7C1911KV18-250BZXC封装焊盘图
在线购买CY7C1911KV18-250BZXC
型号: CY7C1911KV18-250BZXC
描述:18兆位QDR® II SRAM四字突发架构 18-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture
替代型号CY7C1911KV18-250BZXC
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CY7C1911KV18-250BZXC和CY7C1911KV18-250BZC的区别

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