CY14B104LA-BA25XI参数规格_中文资料_数据手册PDF

CY14B104LA-BA25XI概述

4兆位（ 512K ×8 / 256K ×16 ）的nvSRAM 4 Mbit 512K x 8/256K x 16 nvSRAM

Memory IC 4Mb 512K x 8 Parallel 25ns 48-FBGA 6x10

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CY14B104LA-BA25XI

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CY14B104LA-BA25XI中文资料参数规格

技术参数

存取时间Max 25 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

引脚数 48

封装 TFBGA-48

外形尺寸

封装 TFBGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 3A991.b.2.a

数据手册

在线购买CY14B104LA-BA25XI

型号： CY14B104LA-BA25XI

描述：4兆位（ 512K ×8 / 256K ×16 ）的nvSRAM 4 Mbit 512K x 8/256K x 16 nvSRAM

替代型号CY14B104LA-BA25XI

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
CY14B104LA-BA25XI Cypress Semiconductor 赛普拉斯	当前型号	当前型号
CY14B104LA-BA25XIT 赛普拉斯	完全替代	CY14B104LA-BA25XI和CY14B104LA-BA25XIT的区别
CY14B104L-BA25XI 赛普拉斯	完全替代	CY14B104LA-BA25XI和CY14B104L-BA25XI的区别
CY14B104L-BA25XIT 赛普拉斯	功能相似	CY14B104LA-BA25XI和CY14B104L-BA25XIT的区别