CY14B104LA-BA45XIT参数规格_中文资料_数据手册PDF

CY14B104LA-BA45XIT概述

4兆位（ 512K的X二百五十六分之八的K× 16 ）的nvSRAM为20 ns ， 25 ns的，和45 ns访问时间 4-Mbit 512 K x 8/256 K x 16 nvSRAM 20 ns, 25 ns, and 45 ns access times

Memory IC 4Mb 512K x 8 Parallel 45ns 48-FBGA 6x10

立创商城:
CY14B104LA-BA45XIT

艾睿:
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA T/R

安富利:
NVRAM NVSRAM Parallel 4M-Bit 3V 48-Pin FBGA T/R

Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA T/R

Win Source:
4 Mbit 512K x 8/256K x 16 nvSRAM

CY14B104LA-BA45XIT中文资料参数规格

技术参数

存取时间 45 ns

存取时间Max 45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 FBGA-48

外形尺寸

封装 FBGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 3A991.b.2.a

数据手册

在线购买CY14B104LA-BA45XIT

型号： CY14B104LA-BA45XIT

描述：4兆位（ 512K的X二百五十六分之八的K× 16 ）的nvSRAM为20 ns ， 25 ns的，和45 ns访问时间 4-Mbit 512 K x 8/256 K x 16 nvSRAM 20 ns, 25 ns, and 45 ns access times

替代型号CY14B104LA-BA45XIT

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
CY14B104LA-BA45XIT Cypress Semiconductor 赛普拉斯	当前型号	当前型号
CY14B104LA-BA45XI 赛普拉斯	完全替代	CY14B104LA-BA45XIT和CY14B104LA-BA45XI的区别
CY14B104L-BA45XI 赛普拉斯	完全替代	CY14B104LA-BA45XIT和CY14B104L-BA45XI的区别
CY14B104L-BA45XIT 赛普拉斯	完全替代	CY14B104LA-BA45XIT和CY14B104L-BA45XIT的区别