CY7C1320KV18-250BZI

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CY7C1320KV18-250BZI概述

18兆位的DDR II SRAM双字突发架构 18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 18Mb 512K x 36 Parallel 250MHz 165-FBGA 13x15


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CY7C1320KV18-250BZI


得捷:
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA


艾睿:
SRAM Chip Sync Single 1.8V 18M-Bit 512K x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


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SRAM Chip Sync Single 1.8V 18M-Bit 512K x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


DeviceMart:
IC SRAM DDR-II CIO 18MB 165FBGA


CY7C1320KV18-250BZI中文资料参数规格
技术参数

位数 36

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 LBGA-165

外形尺寸

封装 LBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 3A991

数据手册

CY7C1320KV18-250BZI引脚图与封装图
CY7C1320KV18-250BZI引脚图
CY7C1320KV18-250BZI封装图
CY7C1320KV18-250BZI封装焊盘图
在线购买CY7C1320KV18-250BZI
型号: CY7C1320KV18-250BZI
描述:18兆位的DDR II SRAM双字突发架构 18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture
替代型号CY7C1320KV18-250BZI
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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