CY7C1312KV18-300BZXC

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CY7C1312KV18-300BZXC概述

18 - Mbit的QDR ? II SRAM双字突发架构 18-Mbit QDR? II SRAM Two-Word Burst Architecture

SRAM - 同步,QDR II 存储器 IC 18Mb(1M x 18) 并联 300 MHz 165-FBGA(13x15)


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CY7C1312KV18-300BZXC


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IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA


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静态随机存取存储器 18Mb 300Mhz 1.8V 1M x 18 QDR II 静态随机存取存储器


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SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 1M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 1M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


CY7C1312KV18-300BZXC中文资料参数规格
技术参数

时钟频率 300 MHz

位数 18

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

CY7C1312KV18-300BZXC引脚图与封装图
CY7C1312KV18-300BZXC引脚图
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型号: CY7C1312KV18-300BZXC
描述:18 - Mbit的QDR ? II SRAM双字突发架构 18-Mbit QDR? II SRAM Two-Word Burst Architecture
替代型号CY7C1312KV18-300BZXC
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