CY7C1911KV18-300BZCT

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CY7C1911KV18-300BZCT概述

静态随机存取存储器 18Mb 1.8V 300Mhz 2M x 9 QDR II 静态随机存取存储器

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 18Mb 2M x 9 Parallel 300MHz 165-FBGA 13x15


得捷:
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA


贸泽:
静态随机存取存储器 18Mb 1.8V 300Mhz 2M x 9 QDR II 静态随机存取存储器


艾睿:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 2M x 9-Bit 0.45ns 165-Pin FBGA T/R


安富利:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 2M x 9-Bit 0.45ns 165-Pin FBGA T/R


CY7C1911KV18-300BZCT中文资料参数规格
技术参数

位数 9

存取时间 0.45 ns

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买CY7C1911KV18-300BZCT
型号: CY7C1911KV18-300BZCT
描述:静态随机存取存储器 18Mb 1.8V 300Mhz 2M x 9 QDR II 静态随机存取存储器

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