CY14B104N-BA25XCT参数规格_中文资料_数据手册PDF

CY14B104N-BA25XCT概述

4兆位（ 512K ×8 / 256K ×16 ）的nvSRAM 4 Mbit 512K x 8/256K x 16 nvSRAM

NVSRAM（非易失性 SRAM）存储器 IC 4Mb（256K x 16）并联 25 ns 48-FBGA（6x10）

得捷:
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA

贸泽:
NVRAM 4 Mbit 256K x 16 25ns nvSRAM

艾睿:
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3.3V 48-Pin FBGA T/R

CY14B104N-BA25XCT中文资料参数规格

技术参数

存取时间 25 ns

存取时间Max 25 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

引脚数 48

封装 FBGA-48

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 6 mm

高度 0.89 mm

封装 FBGA-48

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CY14B104N-BA25XCT

型号： CY14B104N-BA25XCT

描述：4兆位（ 512K ×8 / 256K ×16 ）的nvSRAM 4 Mbit 512K x 8/256K x 16 nvSRAM

替代型号CY14B104N-BA25XCT

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
CY14B104N-BA25XCT Cypress Semiconductor 赛普拉斯	当前型号	当前型号
CY14B104N-BA25XI 赛普拉斯	完全替代	CY14B104N-BA25XCT和CY14B104N-BA25XI的区别
CY14B104NA-BA25I 赛普拉斯	类似代替	CY14B104N-BA25XCT和CY14B104NA-BA25I的区别
CY14B104NA-BA25XIT 赛普拉斯	类似代替	CY14B104N-BA25XCT和CY14B104NA-BA25XIT的区别