CY7C1312KV18-250BZXC参数规格_中文资料_数据手册PDF

CY7C1312KV18-250BZXC概述

18 - Mbit的QDR ？ II SRAM双字突发架构 18-Mbit QDR? II SRAM Two-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 18Mb 1M x 18 Parallel 250MHz 165-FBGA 13x15

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CY7C1312KV18-250BZXC

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IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

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SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 1M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray

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CY7C1312KV18-250BZXC中文资料参数规格

技术参数

时钟频率 250 MHz

位数 18

存取时间 1 ms

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 3A991.b.2.a

数据手册

CY7C1312KV18-250BZXC引脚图与封装图

在线购买CY7C1312KV18-250BZXC

型号： CY7C1312KV18-250BZXC

描述：18 - Mbit的QDR ？ II SRAM双字突发架构 18-Mbit QDR? II SRAM Two-Word Burst Architecture

替代型号CY7C1312KV18-250BZXC

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
CY7C1312KV18-250BZXC Cypress Semiconductor 赛普拉斯	当前型号	当前型号
CY7C1312KV18-250BZC 赛普拉斯	完全替代	CY7C1312KV18-250BZXC和CY7C1312KV18-250BZC的区别
CY7C1312KV18-250BZCT 赛普拉斯	完全替代	CY7C1312KV18-250BZXC和CY7C1312KV18-250BZCT的区别
CY7C1312KV18-250BZI 赛普拉斯	类似代替	CY7C1312KV18-250BZXC和CY7C1312KV18-250BZI的区别