CY7C1370D-200BZI

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CY7C1370D-200BZI概述

18兆位( 512K ×36 / 1M ×18 )流水线SRAM与NOBL架构 18-Mbit 512K X 36/1M X 18 Pipelined SRAM with NoBL Architecture

SRAM - Synchronous, SDR Memory IC 18Mb 512K x 36 Parallel 200MHz 3ns 165-FBGA 13x15


贸泽:
SRAM 18Mb 200Mhz 512Kx36 Pipelined SRAM


艾睿:
SRAM Chip Sync Quad 3.3V 18M-bit 512K x 36 3ns 165-Pin FBGA Tray


安富利:
SRAM Chip Sync Quad 3.3V 18M-Bit 512K x 36 3ns 165-Pin FBGA Tray


Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Quad 3.3V 18M-Bit 512K x 36 3ns 165-Pin FBGA Tray


罗切斯特:
SRAM Chip Sync Quad 3.3V 18M-bit 512K x 36 3ns 165-Pin FBGA Tray


CY7C1370D-200BZI中文资料参数规格
技术参数

位数 36

存取时间 3 ns

存取时间Max 3 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3.135 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买CY7C1370D-200BZI
型号: CY7C1370D-200BZI
描述:18兆位( 512K ×36 / 1M ×18 )流水线SRAM与NOBL架构 18-Mbit 512K X 36/1M X 18 Pipelined SRAM with NoBL Architecture
替代型号CY7C1370D-200BZI
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