CY7C1371D-133BGC

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CY7C1371D-133BGC概述

18兆位( 512K ×36 / 1M ×18 )流通型SRAM与NoBL⑩架构 18-Mbit 512K x 36/1M x 18 Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture

SRAM - Synchronous, SDR Memory IC 18Mb 512K x 36 Parallel 133MHz 6.5ns 119-PBGA 14x22


立创商城:
CY7C1371D-133BGC


得捷:
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA


艾睿:
SRAM Chip Sync Quad 3.3V 18M-Bit 512K x 36 6.5ns 119-Pin BGA Tray


安富利:
SRAM Chip Sync Quad 3.3V 18M-Bit 512K x 36 6.5ns 119-Pin BGA


Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Quad 3.3V 18M-Bit 512K x 36 6.5ns 119-Pin BGA Tray


罗切斯特:
SRAM Chip Sync Quad 3.3V 18M-bit 512K x 36 6.5ns 119-Pin BGA Tray


DeviceMart:
IC SRAM 18MBIT 133MHZ 119BGA


CY7C1371D-133BGC中文资料参数规格
技术参数

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 119

封装 BGA-119

外形尺寸

高度 1.46 mm

封装 BGA-119

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

CY7C1371D-133BGC引脚图与封装图
CY7C1371D-133BGC引脚图
CY7C1371D-133BGC封装图
CY7C1371D-133BGC封装焊盘图
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型号: CY7C1371D-133BGC
描述:18兆位( 512K ×36 / 1M ×18 )流通型SRAM与NoBL⑩架构 18-Mbit 512K x 36/1M x 18 Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture

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