CY7C1393KV18-300BZXC

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CY7C1393KV18-300BZXC概述

18兆位的DDR II SIO SRAM双字突发架构 18-Mbit DDR II SIO SRAM Two-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 18Mb 1M x 18 Parallel 300MHz 165-FBGA 13x15


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CY7C1393KV18-300BZXC


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IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA


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SRAM 18Mb 300Mhz 1.8V 1Mx18 DDR II SRAM


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SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-bit 1M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


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CY7C1393KV18-300BZXC中文资料参数规格
技术参数

位数 18

存取时间 0.45 ns

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买CY7C1393KV18-300BZXC
型号: CY7C1393KV18-300BZXC
描述:18兆位的DDR II SIO SRAM双字突发架构 18-Mbit DDR II SIO SRAM Two-Word Burst Architecture

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