CY7C1312BV18-200BZI

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CY7C1312BV18-200BZI概述

18兆位QDR⑩ - II SRAM的2字突发架构 18-Mbit QDR⑩-II SRAM 2 Word Burst Architecture

SRAM - 同步,QDR II 存储器 IC 18Mb(1M x 18) 并联 200 MHz 165-FBGA(13x15)


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CY7C1312BV18-200BZI


得捷:
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA


贸泽:
SRAM 1Mx18 1.8V DDR II SRAM


艾睿:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-bit 1M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 1M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA


CY7C1312BV18-200BZI中文资料参数规格
技术参数

位数 18

存取时间 0.45 ns

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买CY7C1312BV18-200BZI
型号: CY7C1312BV18-200BZI
描述:18兆位QDR⑩ - II SRAM的2字突发架构 18-Mbit QDR⑩-II SRAM 2 Word Burst Architecture

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