CY7C1145KV18-400BZXC

CY7C1145KV18-400BZXC图片1
CY7C1145KV18-400BZXC图片2
CY7C1145KV18-400BZXC图片3
CY7C1145KV18-400BZXC图片4
CY7C1145KV18-400BZXC概述

18兆位QDR® II SRAM四字突发架构( 2.0周期读延迟) 18-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency

SRAM - 同步,QDR II+ 存储器 IC 18Mb(512K x 36) 并联 400 MHz 165-FBGA(13x15)


立创商城:
CY7C1145KV18-400BZXC


得捷:
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA


贸泽:
SRAM 18MB 512Kx36 1.8v 400MHz QDR II SRAM


艾睿:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 512K x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 512K x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


DeviceMart:
IC SRAM 512X36 1.8V SYNC 165FBGA


CY7C1145KV18-400BZXC中文资料参数规格
技术参数

时钟频率 400 MHz

位数 36

存取时间 0.45 ns

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 3A991.b.2.a

数据手册

在线购买CY7C1145KV18-400BZXC
型号: CY7C1145KV18-400BZXC
描述:18兆位QDR® II SRAM四字突发架构( 2.0周期读延迟) 18-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency
替代型号CY7C1145KV18-400BZXC
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

CY7C1145KV18-400BZXC

Cypress Semiconductor 赛普拉斯

当前型号

当前型号

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台