CY14B104N-BA25XI参数规格_中文资料_数据手册PDF

CY14B104N-BA25XI概述

4兆位（ 512K ×8 / 256K ×16 ）的nvSRAM 4-Mbit 512K x 8/256K x 16 nvSRAM

NVSRAM（非易失性 SRAM）存储器 IC 4Mb（256K x 16）并联 25 ns 48-FBGA（6x10）

立创商城:
CY14B104N-BA25XI

得捷:
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA

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NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3.3V 48-Pin FBGA

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NVRAM NVSRAM Parallel 4M-Bit 3.3V 48-Pin FBGA

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NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3.3V 48-Pin FBGA

CY14B104N-BA25XI中文资料参数规格

技术参数

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 FBGA-48

外形尺寸

封装 FBGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CY14B104N-BA25XI

型号： CY14B104N-BA25XI

描述：4兆位（ 512K ×8 / 256K ×16 ）的nvSRAM 4-Mbit 512K x 8/256K x 16 nvSRAM

替代型号CY14B104N-BA25XI

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
CY14B104N-BA25XI Cypress Semiconductor 赛普拉斯	当前型号	当前型号
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