CY7C1145KV18-400BZXI

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CY7C1145KV18-400BZXI概述

18兆位QDR® II SRAM四字突发架构( 2.0周期读延迟) 18-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency

SRAM - 同步,QDR II+ 存储器 IC 18Mb(512K x 36) 并联 400 MHz 165-FBGA(13x15)


立创商城:
CY7C1145KV18-400BZXI


得捷:
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA


艾睿:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 512K x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-bit 512K x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


DeviceMart:
18-MBITQDRII+SRAM 4-WORD BURST


CY7C1145KV18-400BZXI中文资料参数规格
技术参数

位数 36

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

在线购买CY7C1145KV18-400BZXI
型号: CY7C1145KV18-400BZXI
描述:18兆位QDR® II SRAM四字突发架构( 2.0周期读延迟) 18-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency

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