CY7C1414KV18-250BZC

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CY7C1414KV18-250BZC概述

36 - Mbit的QDR ? II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR? II SRAM 2-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 36Mb 1M x 36 Parallel 250MHz 165-FBGA 13x15


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CY7C1414KV18-250BZC


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SRAM 36MB 1Mx36 1.8v 250MHz QDR II SRAM


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SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-bit 1M x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


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CY7C1414KV18-250BZC中文资料参数规格
技术参数

供电电流 730 mA

时钟频率 250 MHz

位数 36

存取时间 1 ms

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

海关信息

ECCN代码 3A991.b.2.a

数据手册

CY7C1414KV18-250BZC引脚图与封装图
CY7C1414KV18-250BZC引脚图
CY7C1414KV18-250BZC封装图
CY7C1414KV18-250BZC封装焊盘图
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型号: CY7C1414KV18-250BZC
描述:36 - Mbit的QDR ? II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR? II SRAM 2-Word Burst Architecture
替代型号CY7C1414KV18-250BZC
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