CY14B104NA-BA20XI参数规格_中文资料_数据手册PDF

CY14B104NA-BA20XI概述

4兆位（ 512K ×8 / 256K ×16 ）的nvSRAM 4 Mbit 512K x 8/256K x 16 nvSRAM

NVSRAM（非易失性 SRAM）存储器 IC 4Mb（256K x 16）并联 20 ns 48-FBGA（6x10）

立创商城:
CY14B104NA-BA20XI

得捷:
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA

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NVRAM 4Mb 3V 20ns 256K x 16 nvSRAM

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NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA Tray

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NVRAM NVSRAM Parallel 4M-Bit 3V 48-Pin FBGA Tray

CY14B104NA-BA20XI中文资料参数规格

技术参数

存取时间Max 20 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 FBGA-48

外形尺寸

封装 FBGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CY14B104NA-BA20XI

型号： CY14B104NA-BA20XI

描述：4兆位（ 512K ×8 / 256K ×16 ）的nvSRAM 4 Mbit 512K x 8/256K x 16 nvSRAM

替代型号CY14B104NA-BA20XI

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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