CY14B104L-BA20XIT参数规格_中文资料_数据手册PDF

CY14B104L-BA20XIT概述

4兆位（ 512K ×8 / 256K ×16 ）的nvSRAM 4 Mbit 512K x 8/256K x 16 nvSRAM

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 4Mb 512K x 8 Parallel 20ns 48-FBGA 6x10

贸泽:
NVRAM 4 Mbit 512K x 8 20ns nvSRAM

艾睿:
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3.3V 48-Pin FBGA T/R

CY14B104L-BA20XIT中文资料参数规格

技术参数

存取时间 20 ns

存取时间Max 20 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

引脚数 48

封装 FBGA-48

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 6 mm

高度 0.89 mm

封装 FBGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买CY14B104L-BA20XIT

型号： CY14B104L-BA20XIT

描述：4兆位（ 512K ×8 / 256K ×16 ）的nvSRAM 4 Mbit 512K x 8/256K x 16 nvSRAM