CY7C1420KV18-250BZXI参数规格_中文资料_数据手册PDF

CY7C1420KV18-250BZXI概述

36兆位的DDR II SRAM的2字突发架构 36-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 36Mb 1M x 36 Parallel 250MHz 165-FBGA 13x15

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CY7C1420KV18-250BZXI

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静态随机存取存储器 36MB 1Mx36 1.8v 250MHz DDR II 静态随机存取存储器

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SRAM Chip Sync Single 1.8V 36M-Bit 1M x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray

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IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA / SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 36Mb 1M x 36 Parallel 250 MHz 165-FBGA 13x15

CY7C1420KV18-250BZXI中文资料参数规格

技术参数

位数 36

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

CY7C1420KV18-250BZXI引脚图与封装图

在线购买CY7C1420KV18-250BZXI

型号： CY7C1420KV18-250BZXI

描述：36兆位的DDR II SRAM的2字突发架构 36-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture

替代型号CY7C1420KV18-250BZXI

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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