CY7C1425KV18-250BZXI

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CY7C1425KV18-250BZXI概述

36兆位QDR® II SRAM双字突发架构 36-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 36Mb 4M x 9 Parallel 250MHz 165-FBGA 13x15


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CY7C1425KV18-250BZXI


得捷:
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA


艾睿:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-bit 4M x 9-bit 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


罗切斯特:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-bit 4M x 9-bit 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


DeviceMart:
IC SRAM QDR-II 36MBIT 165FBGA


CY7C1425KV18-250BZXI中文资料参数规格
技术参数

位数 9

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 LBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 LBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 3A991

数据手册

CY7C1425KV18-250BZXI引脚图与封装图
CY7C1425KV18-250BZXI引脚图
CY7C1425KV18-250BZXI封装图
CY7C1425KV18-250BZXI封装焊盘图
在线购买CY7C1425KV18-250BZXI
型号: CY7C1425KV18-250BZXI
描述:36兆位QDR® II SRAM双字突发架构 36-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architecture
替代型号CY7C1425KV18-250BZXI
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