CY7C1425KV18-300BZXC

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CY7C1425KV18-300BZXC概述

36兆位QDR® II SRAM双字突发架构 36-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 36Mb 4M x 9 Parallel 300MHz 165-FBGA 13x15


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CY7C1425KV18-300BZXC


得捷:
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA


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静态随机存取存储器 36MB 4Mx9 1.8v 300MHz QDR II 静态随机存取存储器


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SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-Bit 4M x 9-Bit 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


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CY7C1425KV18-300BZXC中文资料参数规格
技术参数

位数 9

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

CY7C1425KV18-300BZXC引脚图与封装图
CY7C1425KV18-300BZXC引脚图
CY7C1425KV18-300BZXC封装图
CY7C1425KV18-300BZXC封装焊盘图
在线购买CY7C1425KV18-300BZXC
型号: CY7C1425KV18-300BZXC
描述:36兆位QDR® II SRAM双字突发架构 36-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architecture
替代型号CY7C1425KV18-300BZXC
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