CY14B108L-ZS45XI参数规格_中文资料_数据手册PDF

CY14B108L-ZS45XI概述

8兆位（ 1024K ×8 / 512K ×16 ）的nvSRAM 8 Mbit 1024K x 8/512K x 16 nvSRAM

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 8Mb 1M x 8 Parallel 45ns 44-TSOP II

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CY14B108L-ZS45XI

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NVRAM NVSRAM Parallel 8Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray

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CY14B108L-ZS45XI中文资料参数规格

技术参数

工作电压 3 V

供电电流 57 mA

存取时间 45 ns

存取时间Max 45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1 W

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 44

封装 TSOP-44

外形尺寸

封装 TSOP-44

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

海关信息

ECCN代码 3A991.b.2.a

数据手册

CY14B108L-ZS45XI引脚图与封装图

在线购买CY14B108L-ZS45XI

型号： CY14B108L-ZS45XI

描述：8兆位（ 1024K ×8 / 512K ×16 ）的nvSRAM 8 Mbit 1024K x 8/512K x 16 nvSRAM

替代型号CY14B108L-ZS45XI

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
CY14B108L-ZS45XI Cypress Semiconductor 赛普拉斯	当前型号	当前型号
CY14B108K-ZS45XI 赛普拉斯	完全替代	CY14B108L-ZS45XI和CY14B108K-ZS45XI的区别
CY14B108L-ZS45XIT 赛普拉斯	完全替代	CY14B108L-ZS45XI和CY14B108L-ZS45XIT的区别
CY62158ELL-45ZSXI 赛普拉斯	类似代替	CY14B108L-ZS45XI和CY62158ELL-45ZSXI的区别