CY14B108N-ZSP45XI

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CY14B108N-ZSP45XI概述

非易失 RAM,Cypress Semiconductor### 非易失 RAM NVRAMNVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块,用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 RTC。

非易失 RAM,

### 非易失 RAM NVRAM

NVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块,用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 RTC。


立创商城:
CY14B108N-ZSP45XI


欧时:
Cypress Semiconductor CY14B108N-ZSP45XI, 8Mbit SRAM 内存, 512K x 16, 1MHz, 2.7 至 3.6 V, 54针 TSOP封装


得捷:
NO WARRANTY


e络盟:
存储器, NVSRAM, 8MB, -40 至 85度 C


艾睿:
NVRAM NVSRAM Parallel 8Mbit 3V 54-Pin TSOP-II Tray


安富利:
NVRAM NVSRAM Parallel 8M-Bit 3V 54-Pin TSOP-II


Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 8M-Bit 3V 54-Pin TSOP-II


Verical:
NVRAM NVSRAM Parallel 8Mbit 3V 54-Pin TSOP-II Tray


罗切斯特:
NVRAM NVSRAM Parallel 8M-Bit 3V 54-Pin TSOP-II


DeviceMart:
IC NVSRAM 8MBIT 45NS 54TSOP


CY14B108N-ZSP45XI中文资料参数规格
技术参数

工作电压 3 V

供电电流 57 mA

针脚数 54

时钟频率 1 MHz

存取时间 45 ns

存取时间Max 45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1 W

电源电压 2.7V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 TSOP-54

外形尺寸

长度 22.52 mm

宽度 10.262 mm

高度 1.05 mm

封装 TSOP-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

海关信息

ECCN代码 3A991.b.2.a

数据手册

CY14B108N-ZSP45XI引脚图与封装图
CY14B108N-ZSP45XI引脚图
CY14B108N-ZSP45XI封装图
CY14B108N-ZSP45XI封装焊盘图
在线购买CY14B108N-ZSP45XI
型号: CY14B108N-ZSP45XI
描述:非易失 RAM,Cypress Semiconductor ### 非易失 RAM NVRAM NVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块,用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 RTC。
替代型号CY14B108N-ZSP45XI
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Cypress Semiconductor 赛普拉斯

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