CY7C1425KV18-300BZC

CY7C1425KV18-300BZC图片1
CY7C1425KV18-300BZC图片2
CY7C1425KV18-300BZC图片3
CY7C1425KV18-300BZC概述

36兆位QDR® II SRAM双字突发架构 36-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 36Mb 4M x 9 Parallel 300MHz 165-FBGA 13x15


立创商城:
CY7C1425KV18-300BZC


贸泽:
SRAM 36MB 4Mx9 1.8v 300MHz QDR II SRAM


艾睿:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-bit 4M x 9-bit 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


罗切斯特:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-bit 4M x 9-bit 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


DeviceMart:
IC SRAM QDR-II 36MBIT 165FBGA


CY7C1425KV18-300BZC中文资料参数规格
技术参数

存取时间 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 LBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 LBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

CY7C1425KV18-300BZC引脚图与封装图
CY7C1425KV18-300BZC引脚图
CY7C1425KV18-300BZC封装图
CY7C1425KV18-300BZC封装焊盘图
在线购买CY7C1425KV18-300BZC
型号: CY7C1425KV18-300BZC
描述:36兆位QDR® II SRAM双字突发架构 36-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architecture
替代型号CY7C1425KV18-300BZC
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

CY7C1425KV18-300BZC

Cypress Semiconductor 赛普拉斯

当前型号

当前型号

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台