CY7C1412KV18-300BZXI

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CY7C1412KV18-300BZXI概述

36兆位QDR® II SRAM双字突发架构 36-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 36Mb 2M x 18 Parallel 300MHz 165-FBGA 13x15


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CY7C1412KV18-300BZXI


得捷:
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA


艾睿:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-bit 2M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


罗切斯特:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-bit 2M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


CY7C1412KV18-300BZXI中文资料参数规格
技术参数

时钟频率 300 MHz

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

CY7C1412KV18-300BZXI引脚图与封装图
CY7C1412KV18-300BZXI引脚图
CY7C1412KV18-300BZXI封装图
CY7C1412KV18-300BZXI封装焊盘图
在线购买CY7C1412KV18-300BZXI
型号: CY7C1412KV18-300BZXI
描述:36兆位QDR® II SRAM双字突发架构 36-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architecture
替代型号CY7C1412KV18-300BZXI
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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