CY7C1414KV18-300BZXI参数规格_中文资料_数据手册PDF

CY7C1414KV18-300BZXI概述

36兆位QDRÂ® II SRAM双字突发架构 36-Mbit QDRÂ® II SRAM Two-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 36Mb 1M x 36 Parallel 300MHz 165-FBGA 13x15

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CY7C1414KV18-300BZXI

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SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-bit 1M x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray

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CY7C1414KV18-300BZXI中文资料参数规格

技术参数

时钟频率 300 MHz

位数 36

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 3A991

数据手册

CY7C1414KV18-300BZXI引脚图与封装图

在线购买CY7C1414KV18-300BZXI

型号： CY7C1414KV18-300BZXI

描述：36兆位QDRÂ® II SRAM双字突发架构 36-Mbit QDRÂ® II SRAM Two-Word Burst Architecture

替代型号CY7C1414KV18-300BZXI

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
CY7C1414KV18-300BZXI Cypress Semiconductor 赛普拉斯	当前型号	当前型号
CY7C1414KV18-300BZI 赛普拉斯	完全替代	CY7C1414KV18-300BZXI和CY7C1414KV18-300BZI的区别
CY7C1414KV18-300BZC 赛普拉斯	类似代替	CY7C1414KV18-300BZXI和CY7C1414KV18-300BZC的区别
CY7C1414KV18-300BZXC 赛普拉斯	类似代替	CY7C1414KV18-300BZXI和CY7C1414KV18-300BZXC的区别