CY14B108K-ZS25XI参数规格_中文资料_数据手册PDF

CY14B108K-ZS25XI概述

CY14B108K 系列 8 M 1024 K x 8 3.6 V 25 ns 表面贴装 nvSRAM - TSOP-44

Memory IC 8Mb 1M x 8 Parallel 25ns 44-TSOP II

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CY14B108K-ZS25XI

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NVRAM NVSRAM Parallel 8Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray

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CY14B108K-ZS25XI中文资料参数规格

技术参数

供电电流 75 mA

耗散功率 1 W

存取时间 25 ns

存取时间Max 25 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 44

封装 TSOP-44

外形尺寸

封装 TSOP-44

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 3A991.b.2.a

数据手册

在线购买CY14B108K-ZS25XI

型号： CY14B108K-ZS25XI

描述：CY14B108K 系列 8 M 1024 K x 8 3.6 V 25 ns 表面贴装 nvSRAM - TSOP-44

替代型号CY14B108K-ZS25XI

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
CY14B108K-ZS25XI Cypress Semiconductor 赛普拉斯	当前型号	当前型号
CY14B108L-ZS25XI 赛普拉斯	完全替代	CY14B108K-ZS25XI和CY14B108L-ZS25XI的区别
CY14B108K-ZS25XIT 赛普拉斯	完全替代	CY14B108K-ZS25XI和CY14B108K-ZS25XIT的区别
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