CY7C1420KV18-333BZI

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CY7C1420KV18-333BZI概述

36兆位的DDR II SRAM的2字突发架构 36-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture

SRAM - 同步,DDR II 存储器 IC 36Mb(1M x 36) 并联 333 MHz 165-FBGA(13x15)


立创商城:
CY7C1420KV18-333BZI


得捷:
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA


贸泽:
静态随机存取存储器 36MB 1Mx36 1.8v 333MHz DDR II 静态随机存取存储器


艾睿:
SRAM Chip Sync Single 1.8V 36M-Bit 1M x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Single 1.8V 36M-Bit 1M x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


罗切斯特:
SRAM Chip Sync Single 1.8V 36M-bit 1M x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


DeviceMart:
IC SRAM DDR-II CIO 36MB 165FBGA


CY7C1420KV18-333BZI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 600 mA

时钟频率 333 MHz

位数 36

存取时间 0.45 ns

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 LBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 LBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

数据手册

CY7C1420KV18-333BZI引脚图与封装图
CY7C1420KV18-333BZI引脚图
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型号: CY7C1420KV18-333BZI
描述:36兆位的DDR II SRAM的2字突发架构 36-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture

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