CY7C1165KV18-550BZXC

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CY7C1165KV18-550BZXC概述

18 - Mbit的QDR ? II + SRAM四字突发架构( 2.5周期读延迟) 18-Mbit QDR? II+ SRAM Four-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency

SRAM - 同步,QDR II+ 存储器 IC 18Mb(512K x 36) 并联 550 MHz 165-FBGA(13x15)


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CY7C1165KV18-550BZXC


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IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA


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静态随机存取存储器 18MB 1Mx18 1.8v 550MHz DDR II 静态随机存取存储器


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SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 512K x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


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CY7C1165KV18-550BZXC中文资料参数规格
技术参数

位数 36

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 3A991.b.2.a

数据手册

在线购买CY7C1165KV18-550BZXC
型号: CY7C1165KV18-550BZXC
描述:18 - Mbit的QDR ? II + SRAM四字突发架构( 2.5周期读延迟) 18-Mbit QDR? II+ SRAM Four-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency
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