CY7C1248KV18-400BZXC

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CY7C1248KV18-400BZXC概述

36兆位的DDR II + SRAM 2字突发架构( 2.0周期读延迟) 36-Mbit DDR II+ SRAM 2-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency

SRAM - Synchronous, DDR II+ Memory IC 36Mb 2M x 18 Parallel 400MHz 165-FBGA 13x15


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CY7C1248KV18-400BZXC


得捷:
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA


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SRAM 36MB 2Mx18 1.8v 400MHz DDR II SRAM


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SRAM Chip Sync Single 1.8V 36M-Bit 2M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


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SRAM Chip Sync Single 1.8V 36M-Bit 2M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


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SRAM Chip Sync Single 1.8V 36M-Bit 2M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


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SRAM Chip Sync Single 1.8V 36M-bit 2M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


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IC SRAM 2MX18 1.8V SYNC 165-FBGA


CY7C1248KV18-400BZXC中文资料参数规格
技术参数

供电电流 550 mA

时钟频率 400 MHz

位数 18

存取时间 0.45 ns

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 3A991.b.2.a

数据手册

在线购买CY7C1248KV18-400BZXC
型号: CY7C1248KV18-400BZXC
描述:36兆位的DDR II + SRAM 2字突发架构( 2.0周期读延迟) 36-Mbit DDR II+ SRAM 2-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency

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