CY7C25632KV18-400BZXI

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CY7C25632KV18-400BZXI概述

72兆位QDR® II SRAM四字突发架构( 2.5周期读延迟)与ODT 72-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency with ODT

SRAM - Synchronous, QDR II+ Memory IC 72Mb 4M x 18 Parallel 400MHz 165-FBGA 13x15


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CY7C25632KV18-400BZXI


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SRAM Chip Sync Dual 1.8V 72M-Bit 4M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


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CY7C25632KV18-400BZXI中文资料参数规格
技术参数

时钟频率 400 MHz

位数 18

存取时间 0.45 ns

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 3A991.b.2.a

数据手册

在线购买CY7C25632KV18-400BZXI
型号: CY7C25632KV18-400BZXI
描述:72兆位QDR® II SRAM四字突发架构( 2.5周期读延迟)与ODT 72-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency with ODT
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