CY7C1550KV18-400BZXI

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CY7C1550KV18-400BZXI概述

72兆位的DDR II + SRAM 2字突发架构( 2.0周期读延迟) 72-Mbit DDR II+ SRAM 2-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency

SRAM - 同步,DDR II+ 存储器 IC 72Mb(2M x 36) 并联 165-FBGA(13x15)


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CY7C1550KV18-400BZXI


艾睿:
SRAM Chip Sync Single 1.8V 72M-Bit 2M x 36 0.45ns 165-Pin FBGA


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SRAM Chip Sync Single 1.8V 72M-Bit 2M x 36 0.45ns 165-Pin FBGA


罗切斯特:
SRAM Chip Sync Single 1.8V 72M-bit 2M x 36 0.45ns 165-Pin FBGA


CY7C1550KV18-400BZXI中文资料参数规格
技术参数

位数 36

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.8 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CY7C1550KV18-400BZXI
型号: CY7C1550KV18-400BZXI
描述:72兆位的DDR II + SRAM 2字突发架构( 2.0周期读延迟) 72-Mbit DDR II+ SRAM 2-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency

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