CY7C1612KV18-300BZXI

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CY7C1612KV18-300BZXI概述

静态随机存取存储器 144MB 8Mx18 QDR II 1.8V, 300MHz

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 144Mb 8M x 18 Parallel 300MHz 165-FBGA 15x17


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CY7C1612KV18-300BZXI


贸泽:
静态随机存取存储器 144MB 8Mx18 QDR II 1.8V, 300MHz


艾睿:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 144M-bit 8M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


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SRAM Chip Sync Dual 1.8V 144M-Bit 8M x 18 165-Pin FBGA


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SRAM Chip Sync Dual 1.8V 144M-bit 8M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


DeviceMart:
IC SRAM QDRII 144MBIT 165FBGA


CY7C1612KV18-300BZXI中文资料参数规格
技术参数

位数 18

存取时间 0.45 ns

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 3A991.b.2.a

数据手册

在线购买CY7C1612KV18-300BZXI
型号: CY7C1612KV18-300BZXI
描述:静态随机存取存储器 144MB 8Mx18 QDR II 1.8V, 300MHz
替代型号CY7C1612KV18-300BZXI
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