CY7C15632KV18-450BZXI

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CY7C15632KV18-450BZXI概述

72兆位QDR® II SRAM四字突发架构( 2.5周期读延迟) 72-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency

SRAM - 同步,QDR II+ 存储器 IC 72Mb(4M x 18) 并联 450 MHz 165-FBGA(13x15)


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CY7C15632KV18-450BZXI


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IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA


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静态随机存取存储器 72MB 4Mx18 1.8v 450MHz QDR II 静态随机存取存储器


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SRAM Chip Sync Dual 1.8V 72M-Bit 4M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


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CY7C15632KV18-450BZXI中文资料参数规格
技术参数

位数 18

存取时间 0.45 ns

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 3A991.b.2.a

数据手册

在线购买CY7C15632KV18-450BZXI
型号: CY7C15632KV18-450BZXI
描述:72兆位QDR® II SRAM四字突发架构( 2.5周期读延迟) 72-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency
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