CY7C1620KV18-250BZXC

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CY7C1620KV18-250BZXC概述

144兆位的DDR II SRAM双字突发架构 144-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 144Mb 4M x 36 Parallel 250MHz 165-FBGA 15x17


立创商城:
CY7C1620KV18-250BZXC


贸泽:
静态随机存取存储器 144Mb 1.8V 250Mhz 4M x 36 DDR II 静态随机存取存储器


艾睿:
SRAM Chip Sync Single 1.8V 144M-Bit 4M x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


CY7C1620KV18-250BZXC中文资料参数规格
技术参数

位数 36

存取时间 1 ms

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买CY7C1620KV18-250BZXC
型号: CY7C1620KV18-250BZXC
描述:144兆位的DDR II SRAM双字突发架构 144-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture

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