CY7C1648KV18-400BZXC

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CY7C1648KV18-400BZXC概述

144兆位的DDR II SRAM双字突发架构( 2.0周期读延迟) 144-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency

SRAM - 同步,DDR II+ 存储器 IC 144Mb(8M x 18) 并联 400 MHz 165-FBGA(15x17)


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CY7C1648KV18-400BZXC


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IC SRAM 144MBIT PARALLEL 165FBGA


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IC SRAM DDRII 144MB 165FBGA


CY7C1648KV18-400BZXC中文资料参数规格
技术参数

位数 18

存取时间 1 ms

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

在线购买CY7C1648KV18-400BZXC
型号: CY7C1648KV18-400BZXC
描述:144兆位的DDR II SRAM双字突发架构( 2.0周期读延迟) 144-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency

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