CY7C25632KV18-500BZXI

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CY7C25632KV18-500BZXI概述

72兆位QDR® II SRAM四字突发架构( 2.5周期读延迟)与ODT 72-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency with ODT

SRAM - Synchronous, QDR II+ Memory IC 72Mb 4M x 18 Parallel 500MHz 165-FBGA 13x15


立创商城:
CY7C25632KV18-500BZXI


贸泽:
静态随机存取存储器 72MB 4Mx18 1.8v 500MHz QDR II 静态随机存取存储器


艾睿:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 72M-Bit 4M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 72M-Bit 4M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


罗切斯特:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 72M-bit 4M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


CY7C25632KV18-500BZXI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 850 mA

时钟频率 500 MHz

位数 18

存取时间 0.45 ns

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 3A991.b.2.a

数据手册

在线购买CY7C25632KV18-500BZXI
型号: CY7C25632KV18-500BZXI
描述:72兆位QDR® II SRAM四字突发架构( 2.5周期读延迟)与ODT 72-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency with ODT

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