72兆位QDR® II SRAM四字突发架构( 2.5周期读延迟)与ODT 72-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency with ODT
SRAM - Synchronous, QDR II+ Memory IC 72Mb 4M x 18 Parallel 550MHz 165-FBGA 13x15
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CY7C25632KV18-550BZC
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IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA
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SRAM 72MB 4Mx18 1.8v 550MHz QDR II SRAM
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SRAM Chip Sync Dual 1.8V 72M-Bit 4M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray
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IC SRAM QDR-II+-ODT 72MB 165FBGA
供电电流 920 mA
时钟频率 550 MHz
位数 18
存取时间 0.45 ns
存取时间Max 0.45 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V
电源电压Max 1.9 V
电源电压Min 1.7 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 165
封装 FBGA-165
高度 0.89 mm
封装 FBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 3A991.b.2.a