144 - Mbit的QDR® II SRAM四字突发架构( 2.0周期读延迟) 144-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency
SRAM - Synchronous, QDR II+ Memory IC 144Mb 8M x 18 Parallel 450MHz 165-FBGA 15x17
立创商城:
CY7C1643KV18-450BZI
得捷:
IC SRAM 144MBIT PARALLEL 165FBGA
贸泽:
SRAM 144Mb 1.8V 450Mhz 8M x 18 QDR II SRAM
艾睿:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 144M-Bit 8M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray
安富利:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 144M-Bit 8M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA
Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 144M-Bit 8M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray
罗切斯特:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 144M-bit 8M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray
DeviceMart:
IC SRAM QDRII 144MBIT 165FBGA
时钟频率 450 MHz
位数 18
存取时间 0.45 ns
存取时间Max 0.45 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V
电源电压Max 1.9 V
电源电压Min 1.7 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 165
封装 FBGA-165
高度 0.89 mm
封装 FBGA-165
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 3A991.b.2.a
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
CY7C1643KV18-450BZI Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | 当前型号 | 当前型号 |
CY7C1643KV18-450BZC 赛普拉斯 | 类似代替 | CY7C1643KV18-450BZI和CY7C1643KV18-450BZC的区别 |